Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
ABNT
OLIVEIRA, Thiago Freire de et al. Investigação das propriedades ópticas em sistemas de GaAs/InGaAsN dopadas tipo-p sob efeito de campo elétrico. 2014, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.APA
Oliveira, T. F. de, Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Júnior, E. F. (2014). Investigação das propriedades ópticas em sistemas de GaAs/InGaAsN dopadas tipo-p sob efeito de campo elétrico. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdfNLM
Oliveira TF de, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Investigação das propriedades ópticas em sistemas de GaAs/InGaAsN dopadas tipo-p sob efeito de campo elétrico [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdfVancouver
Oliveira TF de, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Investigação das propriedades ópticas em sistemas de GaAs/InGaAsN dopadas tipo-p sob efeito de campo elétrico [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf